[13a-A302-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-A302-5] Eu添加GaN・InGaN量子井戸を用いた広色域3色積層型LEDの作製

〇市川 修平¹、塩見 圭史¹、森川 隆哉¹、佐々木 豊¹、Timmerman Dolf¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、希土類元素、発光ダイオード

マイクロLEDディスプレイの実現には、3原色LEDチップの高集積化が必要不可欠である。実現のためには、同一基板上に(同一材料系で) 3原色のLEDを如何に作製するか、がキーテクノロジーとなる。本研究室ではこれまでに、有機金属気相成長法により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。本研究では、Eu添加GaNによる赤色LED構造とInGaN系青色・緑色LED構造を積層成長することで、同一基板上に集積した3色LEDを作製し電流動作を確認したので報告する。