[13a-A305-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-A305-1] Theoretical Analysis of capacitance of semiconductor quantum dot device utilizing TCAD

〇Hidehiro Asai¹, Shota Iizuka¹, Junichi Hattori¹, Tsutomu Ikegami¹, Koichi Fukuda¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:Semiconductor quantum dot, Semi-classical device simulation, Quantum dot capacitance

我々は半導体素子のキャリア及びポテンシャル分布を自己無撞着に求める事ができるTechnology Computer Aided Design (TCAD) シミュレータを活用した、量子デバイスシミュレータの開発を目指している。
前回の講演では、産総研で独自開発中のImpulse TCADへ不純物準位を介したトンネル率計算のモデルを導入し、キャリア分布によるトンネル率変化を反映した量子ドットの電流電圧特性のシミュレーションについて報告した。本講演では、量子デバイスシミュレータの次のステップとして開発中の量子ドット容量計算モジュールを用いて、量子ドットの静電容量特性のシミュレーションについて報告する。