[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-A305-1] TCAD 技術を活用した半導体量子ドットデバイスの静電容量解析

〇浅井 栄大¹、飯塚 将太¹、服部 淳一¹、池上 努¹、福田 浩一¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：半導体量子ドット、半古典デバイスシミュレーション、量子ドット容量

我々は半導体素子のキャリア及びポテンシャル分布を自己無撞着に求める事ができるTechnology Computer Aided Design (TCAD) シミュレータを活用した、量子デバイスシミュレータの開発を目指している。
前回の講演では、産総研で独自開発中のImpulse TCADへ不純物準位を介したトンネル率計算のモデルを導入し、キャリア分布によるトンネル率変化を反映した量子ドットの電流電圧特性のシミュレーションについて報告した。本講演では、量子デバイスシミュレータの次のステップとして開発中の量子ドット容量計算モジュールを用いて、量子ドットの静電容量特性のシミュレーションについて報告する。