[13a-A305-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13a-A305-7] Comparison of Radio-frequency reflectometry on two types of silicon quantum dots

〇(B)Masaru Hirayama¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:silicon, quantum dot, RF reflectometry

極低温下における量子情報の読み出しのためにRF反射測定が用いられている。本研究では量子ドットとリード部分のゲートが共通なデバイスと個別なデバイスを用いて測定を行った。ゲート電圧掃引時の反射率の変化と量子ドットを流れる電流を測定し、個別のゲートを持つデバイスにおいてそれらの対応がより明瞭に見られるという結果が得られた。このことからデバイス内での配線抵抗がRF反射測定において影響を与えることが考えられる。