[13a-A305-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-A305-8] シリコンMOS量子ドット素子のゲート面積縮小化によるRF反射測定への影響

〇西山 伸平^1,2、加藤 公彦²、柳 永勛²、森 貴洋²、平山 勝登¹、Sinan Bugu¹、溝口 来成¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：シリコン、量子情報デバイス、量子ドット