[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13a-B401-10] Mgイオン注入GaN結晶の高温・超高圧アニールにより形成される結晶欠陥の透過型電子顕微鏡観察

〇(B)中島 拓也¹、櫻井 秀樹^1,2,3、荒井 重勇²、岩田 研治¹、成田 哲生⁴、片岡 恵太⁴、Bockowski Michal^2,5、長尾 全寛²、須田 淳¹、加地 徹²、五十嵐 信行² (1.名大院工、2.名大未来研、3.アルバック半電研、4.豊田中研、5.Unipress)

キーワード：電子顕微鏡、GaN