[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13a-B401-5] ゲート電極形成プロセスがAl₂O₃/GaN界面特性に与える影響

〇安藤 悠人^1,6、中村 徹²、出来 真斗²、田岡 紀之¹、渡邉 浩崇²、田中 敦之^2,3、新田 州吾²、本田 善央²、山田 永⁶、清水 三聡^2,6、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL、6.産総研GaN-OIL)

キーワード：窒化ガリウム、界面準位、EB蒸着

窒化ガリウムパワーデバイス実用化のため，ゲート絶縁膜/GaN界面におけるチャネル移動度の向上が求められている．我々はゲート電極の堆積手法によってAl₂O₃/GaN界面における正の固定電荷密度および伝導帯近傍の界面準位密度が異なることを報告しており，本研究では電子線蒸着が界面特性に与える影響について詳細に検討を行なった．