[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13a-B401-9] 超高圧アニールによるMg&Nシーケンシャルイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証

〇櫻井 秀樹^1,2,3、成田 哲生⁴、晝川 十史²、山田 真嗣^1,2,3、高良 昭彦³、片岡 恵太⁴、堀田 昌宏^1,2、Bockowski Michal^1,5、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大IMaSS、2.名大工、3.アルバック半電研、4.豊田中研、5.UNIPRESS)

キーワード：GaN、Mgイオン注入、超高圧アニール

より高性能なGaNパワーデバイスを実現するために、任意領域へのp型伝導制御を可能とするMgイオン注入(Mg-I/I)技術は重要である。我々はこれまでMg-I/I後の活性化処理に超高圧アニール(ultra-high-pressure annealing :UHPA)を適用した試料についてホール効果測定を行い、Mgアクセプタ形成の実証を報告してきた。今回、窒素空孔欠陥への補償効果を目的としたMg&Nシーケンシャルイオン注入(Mg&N-I/I)試料についてUHPA処理を行い、ホール効果測定の温度特性評価を行ったので報告する。