[13a-D215-1~7] 15.2 II-VI and related compounds

[13a-D215-4] (110) oriented ZnTe layer growth using Sapphire substrates with S- and r-plane nano-facets

〇(B)Shotaro Kobayashi¹, Haotian Tan¹, Eiji Watanabe¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept.of.EE.&BS., 2.Waseda Univ. Lab.for Mat.Sci.&Tech.)

Keywords:semiconductor, crystal growth

テラヘルツ検出素子応用に向け、サファイア基板上に(110)配向のZnTe薄膜の作製を目指し、S面方向に20度傾けたm面ナノファセット基板上にMBE法を用いて、ZnTe薄膜を作製した。今回の発表では、成長初期の工程であるMEE成長と基板温度の条件に着目して実験を行い、得られた成果について発表する。