The 67th JSAP Spring Meeting 2020

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.2 II-VI and related compounds

[13a-D215-1~7] 15.2 II-VI and related compounds

Fri. Mar 13, 2020 9:00 AM - 10:45 AM D215 (11-215)

Tamotsu Okamoto(Natl. Inst. of Tech., Kisarazu Col.)

10:15 AM - 10:30 AM

[13a-D215-6] Growth of Cu-doped ZnS layer by sputter epitaxy method

Yuta Doi1, A-i Mizuno1, Ki Ando1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Zinc sulfide, Sputter

我々は,超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて,ZnS層のエピタキシャル成長を行っている.これまでに,ノンドープおよびAgドープZnS層について,840℃以上の高温領域におけるエピタキシャル成長を検討してきた.今回は,ZnS/Cuターゲットを用いてCuドープZnS層を成長し,ノンドープやAgドープZnS層の場合と比較検討を行ったので,その結果について報告する.