[13a-D305-1~10] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[13a-D305-1] MBE法及びRIE法により形成したn-Ge/p-Ge(100)縦型ダイオードの電気特性

〇(M1)Saputro Hadi Rahmat^1,2、松村 亮²、深田 直樹^1,2 (1.筑波大数物、2.物材機構)

キーワード：ゲルマニウム、pn接合、MBE

次世代トランジスタ実現のため、我々の研究グループではこれまでRIE法を用いた縦型ナノワイヤ形成技術を実現してきた。今後同手法を縦型Geナノワイヤトランジスタへと応用するためには、縦方向に接合を形成する必要がある。今回我々はMBE法とRIE法を用いて縦方向にpn接合を有するGeピラー構造を形成し、その電気特性を評価したので報告する。