[13a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[13a-D419-10] Growth of β-Gallium Oxide by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy

〇(D)Kentaro Ema¹, Naoki Ogawa¹, Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Hisashi Murakami¹ (1.Tokyo Univ. of Agri. & Tech., 2.NCT)

Keywords:beta-Ga2O3, crystal growth, THVPE

原料分子にGaCl₃を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法を用いてβ-Ga₂O₃成長を行った。成長温度(T_g)は1000℃としてVI/IIIを変化させ、c面sapphire基板上に成長し、さらに高VI/III条件下で(001) β-Ga₂O₃基板上にホモエピタキシャル成長を試みた。