11:30 AM - 11:45 AM
[13a-D419-10] Growth of β-Gallium Oxide by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Keywords:beta-Ga2O3, crystal growth, THVPE
原料分子にGaCl3を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法を用いてβ-Ga2O3成長を行った。成長温度(Tg)は1000℃としてVI/IIIを変化させ、c面sapphire基板上に成長し、さらに高VI/III条件下で(001) β-Ga2O3基板上にホモエピタキシャル成長を試みた。