[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-10] トリハライド気相成長法を用いたβ-酸化ガリウム成長

〇(D)江間 研太郎¹、小川 直紀¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、村上 尚¹ (1.農工大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：β-Ga2O3、結晶成長、THVPE法

原料分子にGaCl₃を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法を用いてβ-Ga₂O₃成長を行った。成長温度(T_g)は1000℃としてVI/IIIを変化させ、c面sapphire基板上に成長し、さらに高VI/III条件下で(001) β-Ga₂O₃基板上にホモエピタキシャル成長を試みた。