[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-5] W 置換 In₂O₃ 極薄膜におけるキャリア輸送特性の支配因子

〇古林 寛¹、前原 誠²、酒見 俊之²、北見 尚久^1,2、山本 哲也¹ (1.高知工科大、2.住友重機械工(株))

キーワード：酸化インジウム、極薄膜、電気特性

透明導電膜として広く用いられているIn₂O₃系薄膜において、極薄領域における電気特性は未だ充分には解明されていない。本研究では、反応性プラズマ蒸着 (RPD) 法により成膜、固相結晶化させた極薄膜タングステン添加 In₂O₃ (IWO)の輸送特性に対する膜厚や表面/界面粗さの影響を、キャリア平均自由行程を指標とする古典的サイズ効果の枠組みで考察した。その結果、膜厚 20 nm 以下で表面／界面におけるキャリア散漫散乱の効果が顕在化した。一方、結晶化によって表面粗さが減少し、as-depoの状態と比較して散漫散乱が減少し、結果として極薄領域での高Hall移動度が実現したことが分かった。