[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-D419-9] ゾル・ゲルディップ法によるMgO(001)基板へのNiOエピタキシャル成長

〇安田 隆¹、白嶋 賢仁¹、壹岐 智行¹ (1.石専大理工)

キーワード：酸化物半導体、酸化ニッケル、ゾル・ゲル法

ゾル・ゲルディップ法により，MgO(001)基板へ成長したNiO薄膜の結晶性について報告する。