[13a-D511-1~12] 9.4 Thermoelectric conversion

[13a-D511-4] High thermoelectric power factor in epitaxial CaSi₂ thin films by controlling Ca/Si interface reaction

〇Tsukasa Terada¹, Yuto Uematsu¹, Takafumi Ishibe¹, Eiichi Kobayashi², Yuichiro Yamashita³, Yoshiaki Nakamura¹ (1.Osaka Univ., 2.Kyushu Synchrotron Light Research Center, 3.AIST)

Keywords:Silicide, Layered material, Thermoelectric material

近年、IoTデバイスの自立電源としてSi基板上薄膜熱電材料が注目されている。これまでに我々は、安価・無毒なCaSi₂薄膜をSi基板上にエピタキシャル成長させ、それが有望な熱電特性を示すことを発見した。しかし、その熱電特性は最適化されておらず、さらなる向上が期待できる。本研究では、CaSi₂薄膜の組成比制御を行い、熱電出力因子を向上させることを目的とする。