[13a-D511-1~12] 9.4 熱電変換

[13a-D511-4] Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi₂薄膜の高出力因子化

〇寺田 吏¹、上松 悠人¹、石部 貴史¹、小林 英一²、山下 雄一郎³、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.産総研)

キーワード：シリサイド、層状物質、熱電材料

近年、IoTデバイスの自立電源としてSi基板上薄膜熱電材料が注目されている。これまでに我々は、安価・無毒なCaSi₂薄膜をSi基板上にエピタキシャル成長させ、それが有望な熱電特性を示すことを発見した。しかし、その熱電特性は最適化されておらず、さらなる向上が期待できる。本研究では、CaSi₂薄膜の組成比制御を行い、熱電出力因子を向上させることを目的とする。