[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-PA3-10] Ti/HfO₂/Au-ReRAMにおけるRESET時の電圧パルス下での抵抗変化挙動

〇森本 雅大¹、畠中 林太郎¹、曽川 朋孝¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関大理工)

キーワード：抵抗変化メモリ、人工シナプス素子、酸化膜