[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-PA3-11] ペロブスカイト型抵抗変化メモリの抵抗保持特性を決定する要素

〇(B)橋本 悠太¹、木下 健太朗¹ (1.東理大)

キーワード：Nb:STO、抵抗保持特性、低温