[13a-PA3-1~35] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-PA3-13] フレキシブル基板上へのVO₂薄膜成長及び電気的特性評価

〇村上 祥慶¹、沖村 邦雄¹、中西 俊博² (1.東海大院工、2.京大院工)

キーワード：VO2、ポリイミド、ZnO

二酸化バナジウム(VO₂)は68℃程度で電気抵抗が4桁以上変化する絶縁体-金属転移(Insulator-Metal Transition: IMT)を示す相転移材料である. VO₂は温度変化以外に伸縮によって高温相c軸に沿うV-Vペアの長さが変化することによるIMTを発現して抵抗値変化することが知られており, 高感度応力センサー等への応用が期待されている. VO₂を柔軟な基板やシートに堆積させることができれば, 大きな応力印加に対する応答を調べることができ応用への道が拓ける. 本研究ではフレキシブル基板として熱硬化タイプのポリ系の中で耐熱性及び曲げ弾性率が高いポリイミドを用い, VO₂結晶薄膜を堆積して応力印加による電気特性について調べることを目的とした.