[13a-PA3-1~35] 6.3 Oxide electronics

[13a-PA3-35] Observation and Analysis of Domain Structure in Ti₃O₅ Thin Films through the Metal-Insulator Transition

〇Hayato Kamioka¹, Tomohiro Ishii¹, Kyota Miura¹, Hiroki Takahashi¹, Kohei Yoshimatsu², Ohtomo Akira³ (1.Ninoh Univ., 2.Tohoku Univ., 3.Tokyo Inst. of Tech.)

Keywords:Ti3O5, metal-Insulator transition, domain structure

金属-絶縁体転移(M-I転移)を示すチタン酸化物Ti₃O₅は、バルクでは約240 Kで𝛾相からδ相へ転移を示す。最近100 nm厚の𝛾相の薄膜は7 Kで超伝導転移することが確認された。この試料のM-I転移を表面観測で、絶縁相からの昇温過程で数㎛の金属ドメインが生成し連結して金属相に至ること、更に昇温途中で冷却するとドメインが保持されることを見出した。講演ではドメインの粒子解析と伝導の結果等を報告する。