[13a-PA5-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[13a-PA5-7] Si/CaF₂ p型三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇佐藤 穂波¹、熊谷 佳郎¹、三上 萌¹、利根川 啓希¹、廣瀬 皓大¹、冨澤 勘太¹、金子 拓海¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工学院)

キーワード：共鳴トンネルダイオード

シリコン(Si)/弗化カルシウム(CaF₂)ヘテロ構造は，界面における伝導帯バンド不連続が約2 eVであり，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に数原子層厚の積層エピタキシャル成長が可能である。この特徴を活かし，室温において大きなpeak-to-valley電流比を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の動作実証を行ってきた。今回，ホール注入型のSi/CaF₂三重障壁構造RTDを作製し評価したところ，室温において微分負性抵抗特性を初めて観測した。