[13a-PA5-1~9] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[13a-PA5-7] Room Temperature Negative Differential Resistance of
Si/CaF₂ p-type Triple-barrier Resonant Tunneling Diodes

〇Honami Sato¹, Yoshiro Kumagai¹, Kizashi Mikami¹, Hiroki Tonegawa¹, Kodai Hirose¹, Kanta Tomizawa¹, Takumi Kaneko¹, Masahiro Watanabe¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:Resonant Tunneling Diodes

シリコン(Si)/弗化カルシウム(CaF₂)ヘテロ構造は，界面における伝導帯バンド不連続が約2 eVであり，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に数原子層厚の積層エピタキシャル成長が可能である。この特徴を活かし，室温において大きなpeak-to-valley電流比を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の動作実証を行ってきた。今回，ホール注入型のSi/CaF₂三重障壁構造RTDを作製し評価したところ，室温において微分負性抵抗特性を初めて観測した。