[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-1] ボロンドープSiC原料を用いた窒素・ホウ素コドープ4H-SiC結晶成長

〇江藤 数馬¹、髙野 美育²、鈴木 将治²、一坪 幸輝²、加藤 智久¹ (1.産総研、2.太平洋セメント)

キーワード：結晶成長、昇華法、SiC

低抵抗な4H-SiCを得るために高窒素濃度成長を行うと積層欠陥が発生する。その高窒素濃度4H-SiC成長に関して、窒素・ホウ素コドーピングが積層欠陥の抑制に効果があることが報告されているが、ホウ素粉末を原料に混ぜての成長では、成長初期欠陥などの問題が生じ得る。本研究ではそのような原料に関わる成長時の問題の解決を図るために、事前にホウ素ドープしたSiC原料を用いての昇華法による単結晶成長を試みた。