[13a-PA6-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[13a-PA6-2] Prediction of gas phase reactions and surface structures under the CVD process of SiC with HCl gas

〇(PC)Kenta Chokawa¹, Yoshiaki Daigo², Ichiro Mizushima^2,3, Takashi Yoda^2,3, Kenji Shiraishi¹ (1.IMass, Nagoya Univ., 2.NuFlare Technology, 3.First, Tokyo Tech.)

Keywords:SiC, CVD growth, First principles calculation

SiCのCVD成長ではHClガスを添加することで高速な成長が実現されているが、炉内で発生する原料ガスの気相反応や、成長表面の安定な再構成構造については詳細が明らかになっていない。そこで本研究では第一原理計算と熱力学解析を用いて、実験温度近傍において安定に存在しうるガス種を決定し、その後にそれらのガスにより形成されうる再構成構造からも最も安定な構造を決定した。