[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-11] 界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価

〇塩島 謙次¹、Nabilah Fatin¹、松田 稜¹、加藤 正史² (1.福井大院工、2.名工大)

キーワード：SiC、ショットキー接触、界面顕微光応答法

p-4H-SiCウエハーに存在する構造欠陥を界面顕微光応答法により2次評価した。
可視光を用いた評価では電極界面の特性は不均一であることが判明した。一方、近紫外光ではSiC中の信号は均一であることが判明した。