[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-2] HCl環境下でのSiC CVD成長における気相反応と表面構造の予測

〇(PC)長川 健太¹、醍醐 佳明²、水島 一郎^2,3、依田 孝^2,3、白石 賢二¹ (1.名大未来研、2.ニューフレアテクノロジー、3.東工大未来研)

キーワード：SiC、CVD成長、第一原理計算

SiCのCVD成長ではHClガスを添加することで高速な成長が実現されているが、炉内で発生する原料ガスの気相反応や、成長表面の安定な再構成構造については詳細が明らかになっていない。そこで本研究では第一原理計算と熱力学解析を用いて、実験温度近傍において安定に存在しうるガス種を決定し、その後にそれらのガスにより形成されうる再構成構造からも最も安定な構造を決定した。