[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [13a-PA6-3] 4H-SiCにおける基底面部分転位対の表面近傍での収縮・拡張時の反応経路解析

〇平能 敦雄¹、榊間 大輝¹、波田野 明日可¹、泉 聡志¹ (1.東大工)

キーワード：転位、4H-SiC、反応経路解析

4H-SiC結晶中に存在するBPD(基底面転位)を低減させるために，TED(貫通刃状転位)へと変換させているが，変換現象は未だに解明されていない．そこで，BPD部分転位対が収縮する過程に着目し，表面や表面形状が転位対の収縮・拡張に与える影響について解析を行った．反応経路解析の結果，表面極近傍では，Cコア部分転位対の方がSiコアよりも移動しやすく，転位対収縮時のエネルギー障壁が小さく収縮が起こりやすいということが分かった．