[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [13a-PA6-4] 4H-SiCの順方向劣化現象に対する応力の影響のモデリング

〇榊間 大輝¹、牛流 章弘²、加納 明²、廣畑 賢治²、波田野 明日可¹、泉 聡志¹ (1.東大工、2.東芝研開セ)

キーワード：4H-SiC、順方向劣化、積層欠陥

4H-SiCパワーデバイスの順方向劣化現象の原因である積層欠陥の拡大の解釈には，QWA (Quantum well action)に基づくモデルが提案されている．このモデルを用いると，積層欠陥の拡大/縮小は積層欠陥エネルギー，QWAによるエネルギー低下，および分解せん断応力の大小関係により判定可能である．本研究では，これまで検討が少なかった応力に注目し，積層欠陥拡大の判定基準である臨界少数キャリア密度へ分解せん断応力が与える影響のモデリングを行った．