[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-5] 界面欠陥分布の空間スケールとSiC MOSFETの電界効果移動度の関係に関する数値的検討

〇山末 耕平¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：SiC、SiO2/SiC、局所DLTS

最近，SiO₂/SiC界面に不均一な界面欠陥密度（D_it）分布を生じることが明らかにされた．また，D_itの不均一はSiC MOSFETの電界効果移動度を低下させる可能性が示された．本報告では，D_it分布の不均一を特徴付ける空間スケールと電界効果移動度低下の関係をデバイスシミュレーションで検討した結果を報告する．