[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-7] プラズマ窒化処理が4H-SiC表面の化学結合状態に及ぼす影響

西野 丈太¹、〇野平 博司¹ (1.都市大工)

キーワード：AR-XPS、プラズマ窒化

4H-SiC(0001)（Si面）基板は基板温度400℃で5分から15分でラジカル窒化処理を行った。その試料を角度分解光電子分光法を用いて表面および界面の変化を調べた。その結果、窒素と結合したSiおよびC原子からの光電子信号が観測された。詳細は、当日報告する。