[13a-PA6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[13a-PA6-8] 光支援CV法を用いたSiC-MOSキャパシタの深い界面準位評価

〇松山 秀昭¹、寺尾 豊¹、上野 勝典¹、高島 信也¹ (1.富士電機)

キーワード：SiC-MOS、深い界面準位密度、光支援CV測定

SiC-MOSキャパシタに対して光支援CV法により界面準位密度を評価した。光の波長を連続的に変えた光支援CV測定により深い界面準位密度を求め、Terman法による浅い界面準位密度を求めることで、バンドギャップ内の全領域に対する界面準位密度分布を導出できた。