[13a-PB3-1~9] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[13a-PB3-2] Seebeck Coefficient Measurement of Si Wire directly laid on substrate

〇Kazuaki Katayama¹, Motohiro Tomita¹, Shuhei Hirao¹, Hiroki Takezawa¹, Kouhei Mesaki¹, Sakika Tanabe¹, Takashi Matsukawa², Takeo Matsuki², Hiroshi Inokawa³, Hiroya Ikeda³, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.AIST, 3.Sizuoka Univ.)

Keywords:Si-NW, Seebeck Coefficient, Cavity Free

我々のデバイスは、Si細線を空中架橋せず基板上に直接横たえており、Si細線の下に空洞を設けないシンプルな構造をしている。この場合、Si細線に流入した熱は細線の長手方向だけでなく基板中にも拡散するため、温度分布は線形にならない。よって得られる熱起電圧は、Si本来のゼーベック係数から予測される値と異なりうる。本研究では、Si細線両端に抵抗温度計測用の金属配線を形成して、Si細線のゼーベック係数を求めた。