[13a-PB3-1~9] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[13a-PB3-2] 基板上に直接横たわったSi細線のゼーベック係数の測定

〇片山 和明¹、富田 基裕¹、平尾 修平¹、武澤 宏樹¹、目崎 航平¹、田邉 咲華¹、松川 貴²、松木 武雄²、猪川 洋³、池田 浩也³、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研、3.静岡大学)

キーワード：シリコンナノワイヤ、ゼーベック係数、キャビティフリー

我々のデバイスは、Si細線を空中架橋せず基板上に直接横たえており、Si細線の下に空洞を設けないシンプルな構造をしている。この場合、Si細線に流入した熱は細線の長手方向だけでなく基板中にも拡散するため、温度分布は線形にならない。よって得られる熱起電圧は、Si本来のゼーベック係数から予測される値と異なりうる。本研究では、Si細線両端に抵抗温度計測用の金属配線を形成して、Si細線のゼーベック係数を求めた。