[13p-A201-1~9] Current topics and future prospects of amorphous materials and their device applications

[13p-A201-2] [Highlight]Development of phase change material for PCRAM with low operation energy

〇Yuji Sutou¹, Shogo Hatayama¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:phase change materials, amorphous, crystallization

我々の研究グループは、アモルファス相の耐熱性に優れる新しい相変化材料として、Cu₂GeTe₃やCr₂Ge₂Te₆といった遷移金属TMを含むTM-Ge-Te系化合物を提案している。本発表では、それら遷移金属含有カルコゲナイド系相変化材料について、アモルファス及び結晶相の伝導機構やメモリ動作に及ぼす電極界面接触抵抗の影響、また、その相変化メカニズムについて紹介する。