[13p-A202-1~17] 13.9 Compound solar cells

[13p-A202-3] Analysis of the open-circuit voltage of HVPE-grown dual-junction solar cells via electroluminescence

〇Ryuji Oshima¹, Taketo Aihara¹, Takeshi Tayagaki¹, Yasushi Shoji¹, Kikuo Makita¹, Akinori Ubukata², Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:III-V semiconductors, Solar cells, Hydride vapor phase epitaxy

我々は、III-V族多接合セルの低コスト化を目指したHVPE法を用いたセル開発を進めている。これまでに、変換効率21.8%のInGaP/GaAs 2接合セルを開発した。今回、2接合セルのサブセルの開放電圧(Voc)をEL発光特性により解析した。EL発光特性、外部量子効率スペクトル、およびI-V測定から得られた短絡電流密度11.3 mA/cm²を用いると、InGaP、GaAsサブセルのVocはそれぞれ1.34 V、0.98 Vと求めることができ、各単接合セルと同等の性能が得られていることが分かった。