[13p-A301-1~7] Frontier of Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

[13p-A301-4] Neuromorphic Computing with FeFET Memory Devices

〇Ken Takeuchi¹ (1.Chuo Univ.)

Keywords:Ferroelectric, Neural network, Machine learning

FeFETを用いたニューロモルフィック回路について講演する。FeFETのようなトランジスタタイプのメモリ素子は、PRAM/MRAM等の抵抗変化型のメモリ素子に比べ、読み出し時のダイナミックレンジ（オン・オフ比）が大きいという利点がある。その結果、ニューロモルフィック回路において、ニューラルネットワークの重みを記憶する場合にも、より多くの値を記憶できることが期待される。本講演ではFeFETを用いたニューラルネットワークの動作原理や回路動作方式、抵抗変化型素子に比べた利害得失について講演する。