[13p-A302-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-A302-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] First-Principles Electronic Structure Analysis in GaN with Screw Dislocation and Mg Impurity Complex

〇Takashi Nakano¹, Yosuke Harashima², Kenta Chokawa², Masaaki Araidai^2,1, Kenji Shiraishi^2,1, Atsushi Oshiyama², Akira Kusaba³, Yoshihiro Kangawa^4,2, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda^2,1, Hiroshi Amano^2,1 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.Computer Centre, Gakushuin Univ., 4.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, dislocation, Electronic structure

GaNを用いた次世代のパワーデバイスの実現に向け、逆方向リーク電流の発生が大きな課題となっている。我々は第一原理計算を用いることで、リーク電流への寄与が疑われるMg不純物とらせん転位との複合体における電子構造を解析した。その結果、Mg不純物はらせん転位の近傍に凝集し、Mgとらせん転位との複合体が形成されること、Mgとらせん転位との複合体はn型の振る舞いをすることが示され、リーク電流の原因になることが導かれた。