講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A302-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年3月13日(金) 13:30 〜 16:15 A302 (6-302)

岩谷素顕(名城大)、彦坂年輝(東芝)

14:15 〜 14:30

△ [13p-A302-4] Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価

〇濱地威明¹、藤平哲也¹、林侑介¹、今西正幸²、森勇介²、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、貫通転位、漏れ電流