[13p-A302-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-A302-7] Local structural analysis of a single Ga_1-xIn_xN/GaN quantum shell by using an X-ray micro-beam from the large synchrotron radiation facility of SPring-8.

〇(M1)Takato Ichikawa¹, Tsurugi Kondo¹, Nobuhiro Yasuda², Yasuhiko Imai², Tomoyo Nakao³, Shigeo Arai³, Nanami Goto¹, Satoshi Kamiyama¹, Daichi Imai¹, Takao Miyajima¹ (1.Meijo Univ., 2.Japan Synchrotron Radiation Research Inst., 3.IMaSS., Nagoya Univ.)

Keywords:X-ray diffraction, Nitride semiconductor, Nanowire

Ga_1-xIn_xN/GaN量子殻は高効率なGaN系半導体レーザの構造として期待される。今回、集束イオンビーム(FIB)法とSPring-8のX線マイクロビームを組み合わせることで単一のGaN系量子殻の局所構造解析が可能になった。FIB法で取り出した量子殻の側面(1-100)にX線マイクロビームを照射、回折X線を測定、逆格子マップを作製した。更に、逆格子の絶対値を標準試料CeO₂を使って校正した。GaNピークと量子井戸のサテライト信号が検出され、量子井戸周期が10 nmと求められた。