[13p-A302-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A302-7] 大型放射光施設SPring-8のX線マイクロビームを用いた単一Ga_1-xIn_xN/GaN量子殻の局所構造評価

〇(M1)市川 貴登¹、近藤 剣¹、安田 信広²、今井 康彦²、中尾 知代³、荒井 重勇³、後藤 七美¹、上山 智¹、今井 大地¹、宮嶋 孝夫¹ (1.名城理工、2.高輝度光科学センター、3.名大未来材料・システム研)

キーワード：Ｘ線回折、窒化物半導体、ナノワイヤ

Ga_1-xIn_xN/GaN量子殻は高効率なGaN系半導体レーザの構造として期待される。今回、集束イオンビーム(FIB)法とSPring-8のX線マイクロビームを組み合わせることで単一のGaN系量子殻の局所構造解析が可能になった。FIB法で取り出した量子殻の側面(1-100)にX線マイクロビームを照射、回折X線を測定、逆格子マップを作製した。更に、逆格子の絶対値を標準試料CeO₂を使って校正した。GaNピークと量子井戸のサテライト信号が検出され、量子井戸周期が10 nmと求められた。