The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

Fri. Mar 13, 2020 1:45 PM - 5:45 PM A305 (6-305)

Osamu Nakatsuka(Nagoya Univ.), Kazuhiko Endo(AIST)

4:45 PM - 5:00 PM

[13p-A305-10] Tensile strain GOI nMOSFET on GOI substrates fabricated by Ge condensation

Kwangwon Jo1, Cheol-Min Lim1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, 〇Schin-ichi Takagi1 (1.Univ. Tokyo)

Keywords:semiconductor

酸化濃縮によるGOI基板は高圧縮ひずみを持つことから、pMOSFETの性能向上に役立つが、同基板でCMOSを実現するためには、圧縮ひずみを引張りひずみに変換することが必要である。本研究では、濃縮後に比較的低温の追加酸化を行うことにより、結晶欠陥を生成させることなく、引張りひずみを導入することに成功し、nMOSFETの電子移動度を向上できることを見出した。このひずみとGOI薄膜化により、2.5 nmの膜厚のnMOSFETにおいて、777 cm2/Vsの電子移動度を実現した。