4:45 PM - 5:00 PM
[13p-A305-10] Tensile strain GOI nMOSFET on GOI substrates fabricated by Ge condensation
Keywords:semiconductor
酸化濃縮によるGOI基板は高圧縮ひずみを持つことから、pMOSFETの性能向上に役立つが、同基板でCMOSを実現するためには、圧縮ひずみを引張りひずみに変換することが必要である。本研究では、濃縮後に比較的低温の追加酸化を行うことにより、結晶欠陥を生成させることなく、引張りひずみを導入することに成功し、nMOSFETの電子移動度を向上できることを見出した。このひずみとGOI薄膜化により、2.5 nmの膜厚のnMOSFETにおいて、777 cm2/Vsの電子移動度を実現した。