[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13p-A305-10] 酸化濃縮法により作製したGOIを用いた引張りひずみGOI nMOSFET

曺 光元¹、林 澈敏¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、〇高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体

酸化濃縮によるGOI基板は高圧縮ひずみを持つことから、pMOSFETの性能向上に役立つが、同基板でCMOSを実現するためには、圧縮ひずみを引張りひずみに変換することが必要である。本研究では、濃縮後に比較的低温の追加酸化を行うことにより、結晶欠陥を生成させることなく、引張りひずみを導入することに成功し、nMOSFETの電子移動度を向上できることを見出した。このひずみとGOI薄膜化により、2.5 nmの膜厚のnMOSFETにおいて、777 cm²/Vsの電子移動度を実現した。