[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-11] Study on physical origin of electron mobility enhancement of (001) GOI nMOSFET with thinning GOI thickness

〇Schin-ichi Takagi¹, Kwangwon John¹, Cheol-Min Lim¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:semiconductor

(001)面GOI nMOSFETは、GOI膜厚の薄膜化によりnMOSFETの電子移動度が向上することが報告されているが、その機構は明らかでない。本研究では、各バレーの有効質量と散乱機構の観点から、移動度向上の起源を考察した結果、(001)GOI薄膜化に伴う電子移動度向上は、m_zが軽く膜厚揺らぎ散乱の影響が大きいLバレーから、その影響が小さいΔ₂バレーに電子が遷移する事で引き起されていることを示す。