[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[13p-A305-6] [Young Scientist Presentation Award Speech] Improvement of the quality of InAs-On-Insulator substrates and evaluation of the interface properties

〇Kei Sumita¹, Kimihiko Kato¹, Jun Takeyasu¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:Smart Cut, InAs-On-Insulator, MOSFET

InAs-OI nMOSFETは低温プロセスによる形成が可能である為、3次元集積CMOS構造等への応用が有望である。しかしながら、Smart Cut法により作製されたInAs-OIを電子デバイスに応用する為には、イオン注入に伴う結晶性の劣化や、貼り合わせ界面特性の改善が課題として残されていた。本研究では、InAs-OI基板の電気特性を界面とバルク特性に分離して定量的な評価を行い、結晶性が熱処理によって著しく向上すること、結果として実現したMOSFET動作について報告する。