[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13p-A305-6] [講演奨励賞受賞記念講演] InAs-On-Insulator基板の高品質化と貼り合わせ界面特性の評価

〇隅田 圭¹、加藤 公彦¹、竹安 淳¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：Smart Cut、InAs-On-Insulator、MOSFET

InAs-OI nMOSFETは低温プロセスによる形成が可能である為、3次元集積CMOS構造等への応用が有望である。しかしながら、Smart Cut法により作製されたInAs-OIを電子デバイスに応用する為には、イオン注入に伴う結晶性の劣化や、貼り合わせ界面特性の改善が課題として残されていた。本研究では、InAs-OI基板の電気特性を界面とバルク特性に分離して定量的な評価を行い、結晶性が熱処理によって著しく向上すること、結果として実現したMOSFET動作について報告する。