[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13p-A305-9] 酸化濃縮法により作製した圧縮ひずみ(110)面SiGe-OI pMOSFET

曺 光元¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、〇高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体

SiGe/Ge-On-Insulator pMOSFETは、高い正孔移動度をもつことから、将来の技術ノードのロジックCMOSのための素子として期待されている。本研究では、(110)SOI上のSiGe層に対して、改良された濃縮プロセスを適用してSGOI層を形成し、この基板上のpMOSFETの特性を評価すると共に、SGOI層の薄膜化を行い、移動度のSGOI膜厚依存性を調べた。結果として、酸化濃縮による(110)面Si_0.46Ge_0.54 -OI pMOSFETは、圧縮ひずみとの組み合わせにより極めて高い正孔移動度を実現できることが分かった。