[13p-A307-1~7] Emerging devices, architectures and systems for the post-Moore's Law era

[13p-A307-3] Advances in CMOS image sensors utilizing a 3D IC stacking technology

〇Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:semiconductor, image sensor

近年、半導体イメージセンサの小型化が急速に進められている。ソニーでは、微細化したセンサ画素の画質向上策として、2008年に裏面照射型CMOSイメージセンサの量産を開始した。その後、製品の多様化の要求に応え、裏面照射型CMOSイメージセンサをさらに高機能化、高性能化した積層型CMOSイメージセンサの量産を2012年から開始した。裏面照射型CMOSイメージセンサを実現した要素技術としては酸化膜接合、積層型CMOSイメージセンサを実現した要素技術としてはTSV接続やCu-Cu接続が挙げられる。特に、Cu-Cu接続は高密度な三次元集積を可能にする技術であり、今後の半導体イメージセンサへの応用展開が期待されている。