[13p-D221-1~14] 6.4 Thin films and New materials

△ [13p-D221-14] Electrical properties of low temperature PLD grown Ni_1-xFe_xO(111) epitaxial thin films

〇Yoshiharu Shinozaki¹, Subaru Nakanishi¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:magnetoresistance, NiO

Ni_1−xFe_xOエピタキシャル薄膜に関して、Fe高濃度領域を含む組成条件においてドーパントが構造と磁気抵抗特性に与える影響を検討した。薄膜はPLD法によりNi_1−xFe_xO(x≦0.7)をターゲットとしてα-Al₂O₃ (0001)基板に成膜し、AFM、XRD、RHEEDにより評価し、PPMSを用いてMRを測定した。Ni_0.5Fe_0.5Oターゲットを用いて成膜した薄膜は300 Kにおいて9 Tの垂直磁場中で負の磁性抵抗効果を示した。当日はFe添加量による影響についても発表する。