[13p-D221-1~14] 6.4 薄膜新材料

△ [13p-D221-8] パルスレーザ堆積法による ScN 薄膜のエピタキシャル成長

〇佐藤 大知¹、横山 竜¹、相馬 拓人¹、大友 明^1,2 (1.東工大、2.元素戦略)

キーワード：薄膜、窒化物、半導体

Ⅲ族窒化物である ScN は，新たな半導体材料として注目されている ． ScN のバンドギャップ（Eg）は 2 eV 前後であり，室温における移動度が 300 cm² V⁻¹ s⁻¹の薄膜が得られている．しかしながら，良質な結晶を得る成長法は HVPE や MBEなどに限られ，パスレーザ堆積（PLD）法による薄膜成長の報告例はない．我々は PLD 法を用いた ScN 薄膜のエピタキシャル成長に成功したので報告する．